发光学应用及交叉前沿 | 芯片尺寸与阵列偏移对图形衬底Micro-LED光强空间分布的影响
发光学应用及交叉前沿 | 芯片尺寸与阵列偏移对图形衬底Micro-LED光强空间分布的影响
摘要:微型发光二极管(Micro-light emiting diode,Micro-LED)以高亮度、高对比度、低能耗和快速响应等优异特性,广泛应用于户外显示、增强现实和虚拟现实等领域。然而,Micro-LED的微型化带来了光强分布控制的挑战。为提高其发光效率,常使用图形蓝宝石衬底(Pattermed sapphire substrate,PSS)技术,通过微米级图形单元优化光提取率。在大尺寸LED中,PSS对光强空间分布影响较小,但在微米级Micro-LED中影响显著。本文采用光线追迹方法,系统研究了发光波长为 4 6 0 n m 的不同尺寸PSSMicro-LED在不同阵列偏移下的光强空间分布,并量化了光强空间分布的非对称率,最后解释了该现象。结果表明,随着尺寸减小,PSS对光强空间分布影响增大。当尺寸为 3 μ m× 5 μ m 时,在 y 轴和 x 轴的光强空间分布的非对称率达 3 . 0 6 % 和 4 . 2 2 % ,因而影响Micro-LED发光均匀性。本研究为Micro-LED在显示应用中的优化设计提供了理论支持。