器件制备及器件物理 | 基于纳米压印的高分辨率和高效率量子点发光二极管
器件制备及器件物理 | 基于纳米压印的高分辨率和高效率量子点发光二极管
摘要:目前,通过各种量子点图案化技术制备的高分辨率量子点发光二极管(Quantum dotlight-emitting di-ode,QLED)普遍面临低效率的问题,其主要原因是像素之间存在较大的漏电流。为了解决该问题,本文采用纳米压印技术制备了蜂窝状聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methyl methacrylate),PMMA)薄膜,并将其作为电荷阻挡层应用在QLED发光层中,成功获得了分辨率为8467像素每英寸(Pixelperinch,PPI)的红色QLED器件。由于PMMA良好的绝缘特性,电荷阻挡层成功隔绝了电子传输层和空穴传输层的直接接触,所制备器件的漏电流相较于无阻挡层图案化器件大幅降低,使其外量子效率(External quantum efficiency,EQE)得到较大提升,最大EQE达到了 15.31% ,最大亮度为 100 274cd/m2 。