本文聚焦于MOS储能器件及其电路在辐射环境下的行为特性展开研究，并针对性地提出电路优化策略，通过优化放大电路结构与构建冗余结构，提升其抗辐射能力。本研究成果为未来抗辐射电化学储能器件的设计与开发提供了理论（试读）...
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